Je vous présente ici un projet d'étage de sortie à transistor MOSFET, il peut remplacer un étage de sortie basé sur des transistors bipolaires. Ce projet est destiné à ceux qui veulent expérimenter avec des MOSFET de puissance.

Sans trop entrer dans les détails, le transistor MOSFET se situe entre un tube à vide et un transistor bipolaire. Ce qui explique sans doute sa musicalité particulière. Je sais que certains ne jurent que par les transistors bipolaires et que d'autres par des MOSFET alors, ...

Principaux avantages : une simplicité de commande, des centaines de watts grâce à une mise en parallèle facile, un coefficient de température négatif et des temps de commutation rapides. 

Principaux inconvénients : une capacité d'entrée assez à fort élevée de l'ordre de 500 à 1000 pF, une sensibilité aux décharges électrostatiques.

Les MOSFET sont disponibles en une gamme très variée en PNP et NPN, en tension de 100 à 200 Volts et même plus, des modèles complémentaires (comme en bipolaire). Les modèles couramment utilisés dans les amplificateurs de puissance sont les 10N16, 10P16, IRFP140, IRFP9140, IRFP240, IRFP9240, 2SK135, 2SJ50, 2SK1530, 2SJ201.

Dans le projet, les points A et C sont à relier à la sortie de l'étage driver, le point B est pour la contre-réaction et le point D la masse du driver.

La platine est prévue pour des transistors en boîtier TO3P, il faudra plier légèrement les pattes pour les boîtiers de type TO220.

Le réglage du courant de repos (de l'ordre de 100 mA par MOSFET) se fait simplement par un potentiomètre ajustable de 250 Ohms intercalé entre les points A et C, sans aucune autre complication. Il est toujours possible d'utiliser tout autre système classique.

Les diodes zener prévues sont destinées à protéger les MOSFET par un système très simple de limitation, les plus aventureux pourront essayer des systèmes plus complexes (zener + 1n4148 en série, zener + résistance série,...).

Les résistances Rx traditionnelles de .22 Ohm 5 watts bobinées sont remplacées par 5 résistances de 1.2 Ohm 1 watt à couche carbone mises en parallèle ce qui évite l'effet de self.

Les condensateurs Cx sont à placer en fonction de la compensation à effectuer, la platine est prévue pour tous les cas de figure.

Les valeurs proposées pour les composants le sont à titre indicatif, le projet est là pour expérimentation; je l'ai conçu spécialement à cet effet ce qui permet de le combiner facilement à différents étages drivers. Ce projet n'a pas encore été testé.

Schéma :

Proposition de platine :

Détail des composants :

R1, R2, R3, R4 = 100 à 470 Ohms 1/4 W métal film

R5 = 10 Ohms 1 W carbone

Rx = 1.2 Ohm 1 W carbone

C1, C2 = 100 µF 100 Volts

C3 = 220 nF 100 Volts

Cx = condensateur céramique (la valeur dépend de la compensation à effectuer, voir tableau)

D1, D2 = diode zener 10 Volts 400 mW

T1, T2 = exemple : IRFP140 (100 V), IRFP240 (200 V)

T3, T4 = exemple : IRFP9140 (100 V), IRFP9240 (200 V)

Zone de téléchargement :

Cliquez ici pour accéder au dessin du circuit imprimé.

Le fichier a une résolution de 600 DPI, il est au format .GIF (35 Ko). Une fois le fichier affiché, vous pouvez l'enregistrer sur votre PC.